存储单元和存储阵列
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种存储单元和存储阵列,该存储单元包括位线、隧道结和四个存取晶体管;各存取晶体管至少包括有源区;该有源区包括源极,各存取晶体管的源极均与隧道结的第一端电连接;隧道结的第二端与位线电连接,且位线沿第一方向延伸;各存取晶体管的有源区相互隔离;各存取晶体管的有源区的长边延伸方向相同,且存取晶体管的有源区的长边延伸方向与第一方向具有第一夹角θ;其中,θ为非直角。本实用新型实施例的存储单元具有较小的尺寸,从而将该存储单元应用于存储阵列中时,能够提供存储阵列较大的集成度。
基本信息
专利标题 :
存储单元和存储阵列
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021152513.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-19
授权号 :
CN212391999U
授权日 :
2021-01-22
发明人 :
王晓光平尔萱吴保磊吴玉雷
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
成丽杰
优先权 :
CN202021152513.1
主分类号 :
G11C11/16
IPC分类号 :
G11C11/16
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2021-01-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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