一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构，涉及半导体技术领域，用于消除晶圆背面的硬性粒子对光刻工艺的影响，从而提高半导体器件的品质。所述研磨装置包括：旋转件、以及设置在旋转件一侧的研磨件；其中，旋转件用于固定晶圆与研磨件的相对位置，以及用于带动晶圆旋转；研磨件具有对晶圆的背面进行研磨的研磨区域，旋转件的旋转轴至研磨区域的边缘的最短垂直距离小于晶圆的半径。所述研磨装置应用于抛光设备中。
基本信息
专利标题 ：
一种研磨装置、调节研磨压力的方法及装片卸片机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496832A
申请号 ：
CN202011173868.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁容硕张月杨涛卢一泓刘青
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011173868.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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