多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件的制备方法，涉及气敏传感器技术领域，用于解决多孔硅对NO2气体响应灵敏度低的问题，所述制备方法包括以下步骤：清洗单晶硅片；利用电化学腐蚀法制备多孔硅；利用化学气相输运沉积在多孔硅基底沉积VO2纳米颗粒，形成多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件。通过巨大的比表面积和异质结结构，多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件在室温下对NO2气体的灵敏度有较大的提高，同时有着良好的选择性。
基本信息
专利标题 ：
多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114441599A
申请号 ：
CN202011185310.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁继然张颖吴文豪
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011185310.7
主分类号 ：
G01N27/00
IPC分类号 ：
G01N27/00 B82Y30/00 B82Y15/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/00
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
