传感器温度补偿的方法、装置、设备及存储介质
授权
摘要
本发明实施例公开了一种传感器温度补偿的方法、装置、设备及存储介质。首先采集磁电阻效应传感器系统的温度，第一正弦值和第一余弦值；然后根据温度，第一正弦值和第一余弦值确定第一角度；之后根据温度，第一角度和预设补偿表确定补偿数据，其中，补偿表包括磁电阻效应传感器系统在各个预设温度，以及每个预设温度下，不同预设角度对应的第二正弦值和第二余弦值；最后基于补偿数据，第一正弦值和第一余弦值确定第二角度。解决了目前的技术方案中存在的角度传感器测量结果不准确的问题，提高了测量结果的准确性。
基本信息
专利标题 ：
传感器温度补偿的方法、装置、设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112556569A
申请号 ：
CN202011284210.X
公开（公告）日 ：
2021-03-26
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
CN112556569B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
聂泳忠孙井源
申请人 ：
西人马帝言（北京）科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区成府路45号中关村智造大街F座5层502
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵秀芹
优先权 ：
CN202011284210.X
主分类号 ：
G01B7/30
IPC分类号 ：
G01B7/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B7/30
•用于计量角度或锥度；用于检测轴线准直
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-04-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01B 7/30
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2021-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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