一种晶圆处理工序、校准装置和对准方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种晶圆处理工序、校准装置和对准方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中晶圆处理工序中对准室仅能校准定位而造成的晶圆处理工序效率低的问题。本发明的晶圆处理工序，步骤包括S1：晶圆在对准室内校准定位的同时加热到温度T1；S2：将加热到T1温度的晶圆送入工艺处理室继续加热到温度T2；S3：对加热到T2温度的晶圆进行后续处理，完成晶圆处理工序；其中，T1
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆处理工序、校准装置和对准方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551325A
申请号 ：
CN202011293439.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李煥珪李俊杰李琳王佳周娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
姚东华
优先权 ：
CN202011293439.X
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L21/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/687
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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