一种全无机晶体管型X射线探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种全无机晶体管型X射线探测器及其制备方法。该探测器包括衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道半导体层、源电极和漏电极、X射线吸收层和保护层，其中，在所述X射线吸收层和所述沟道半导体层建立异质结，在X射线照射下，该异质结使所产生的电子‑空穴对分离，并使所述X射线吸收层产生的载流子注入到所述沟道半导体层。本发明无需设置顶电极，通过异质结界面将吸收层的非平衡载流子转移到沟道层中，可在低电压条件下工作，并且器件结构简单，易于制造。
基本信息
专利标题 ：
一种全无机晶体管型X射线探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520272A
申请号 ：
CN202011307089.8
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李佳曹勇
申请人 ：
深圳先进技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
耿慧敏
优先权 ：
CN202011307089.8
主分类号 ：
H01L31/119
IPC分类号 ：
H01L31/119 H01L31/20
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/119
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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