一种基于新型DreaMOS工艺的Doherty射频功率放...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于新型DreaMOS工艺的Doherty射频功率放大器模组及其输出匹配网络，所述输出匹配网络包括主寄生电容、辅寄生电容和电感，主寄生电容一端接主路放大器的漏极，另一端接电感；辅寄生电容一端接辅路放大器的漏极，另一端接电感，主路放大器和辅路放大器并联，且主路放大器和辅路放大器均为DreaMOS晶体管，主寄生电容和辅寄生电容分别为主DreaMOS晶体管中的寄生电容和辅DreaMOS晶体管中的寄生电容。本发明通过采用DreaMOS工艺，简单高效地实现了Doherty射频功率放大器中输出匹配电路的功能，同时实现了超宽带，高效率和小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种基于新型DreaMOS工艺的Doherty射频功率放大器模组及其输出匹配网络
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114553149A
申请号 ：
CN202011330267.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾滕锋
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202011330267.9
主分类号 ：
H03F1/02
IPC分类号 ：
H03F1/02 H03F1/56 H03F3/24
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/02
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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