一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构
授权
摘要

本发明公开了一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构。本发明包括镀膜、塑封、球栅阵列和电路基板;在封装基板的一侧表面覆盖上塑封,在封装基板的另一侧表面覆盖球栅阵列和下塑封,在上塑封、封装基板、球栅阵列和下塑封的周围表面和上塑封的外表面均包覆有镀膜,球栅阵列外侧穿过下塑封和电路基板电连接,镀膜和电路基板之间具有间隙。相比于传统的金属盖技术,本发明的屏蔽结构紧贴封装器件,没有额外的增加封装器件的尺寸。相比于传统的、无表面走线的共形屏蔽方案,本发明能够在保证电路基板中表面走线存在的情况下,拥有良好的抗辐射泄露能力。

基本信息
专利标题 :
一种抗辐射泄露的共形屏蔽SIP封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112490219A
申请号 :
CN202011362624.X
公开(公告)日 :
2021-03-12
申请日 :
2020-11-27
授权号 :
CN112490219B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
李尔平胡光来刘卫锋
申请人 :
海宁利伊电子科技有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
林超
优先权 :
CN202011362624.X
主分类号 :
H01L23/60
IPC分类号 :
H01L23/60  H01L23/31  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的,用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置,例如法拉第防护屏
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-03-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/60
申请日 : 20201127
2021-03-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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