增进接合良率的发光二极管结构
公开
摘要
一种增进接合良率的发光二极管结构，包括发光二极管、多个接触电极、绝缘层结构以及多个接合电极。发光二极管的一面包括凸台结构。接触电极设置在凸台结构上，且于俯视时为彼此分离。绝缘层结构设置在接触电极上。接合电极设置在绝缘层结构上并分别覆盖至少一个接触电极。接合电极远离发光二极管的一面具有第一平台和第二平台。第二平台位于第一平台上且相较于第一平台远离凸台结构。第二平台在发光二极管上的垂直投影的表面积小于第一平台在发光二极管上的垂直投影的表面积，且第二平台的垂直投影位于第一平台的垂直投影内。本发明通过第二平台较为凸起的结构达到接合制程中发光二极管与显示板上的接触垫有良好的电性接触的功效。
基本信息
专利标题 ：
增进接合良率的发光二极管结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583028A
申请号 ：
CN202011370964.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭修邑
申请人 ：
隆达电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市科学园区工业东三路3号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202011370964.7
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/38
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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