非一致磁化的存储单元
公开
摘要
本发明提供了一种非一致磁化的存储单元。该存储单元包括自旋霍尔效应层以及位于自旋霍尔效应层的同一侧表面的两个并列的磁性隧道结，各磁性隧道结包括：沿远离自旋霍尔效应层的方向顺序层叠的自由层、势垒层和参考层，两个参考层具有固定的磁化方向，两个磁性隧道结具有不同形状，或者两个磁性隧道结形状相同且在自旋霍尔效应层上具有不同的设置方式，用于使两个磁性隧道结的易磁化轴的斜率正负相反，从而在自旋霍尔效应层通电后使两个自由层表现相反的磁化方向。上述两个磁性隧道结中的自由层在通电后无需外磁场，通过不同方向的电流，使两个磁性隧道结总是互补阻态，读取信号实现差分存储，进而能够节省存储单位的面积，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
非一致磁化的存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114596890A
申请号 ：
CN202011391011.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李州孟皓
申请人 ：
浙江驰拓科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202011391011.9
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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