一种铌酸锂电光调制器及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种铌酸锂电光调制器，包括衬底、基于绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)制成的脊型波导、电极、电介质(Dielectrics)以及覆盖层。其中，铌酸锂薄膜置于一层微米厚度的绝缘体上，绝缘层为二氧化硅,铌酸锂薄膜的厚度为300‑900纳米。首先在铌酸锂薄膜上加工出脊型波导，在脊型波导的两侧各设置有电极，在脊型波导与电极之间的区域填充有电介质。在脊型波导、电极以及电介质的上方设置有覆盖层。电介质的介电常数大于覆盖层的介电常数。本发明还提供了一种制备铌酸锂电光调制器的方法。本发明提供的铌酸锂电光调制器，可在不改变波导和电极结构的前提下，将半波电压降低至原本的1/4左右，且不引入额外的生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种铌酸锂电光调制器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609805A
申请号 ：
CN202011448550.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈玉萍刘一岸陈险峰颜雄硕
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海旭诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立
优先权 ：
CN202011448550.1
主分类号 ：
G02F1/01
IPC分类号 ：
G02F1/01 G02F1/03 G02F1/035
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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