一种石墨烯电光调制器及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，涉及电光调制器领域，其包括衬底以及形成于衬底上的马赫泽德干涉仪结构；所述马赫泽德干涉仪结构包括石墨烯垂直混合等离子光波导；所述石墨烯垂直混合等离子光波导包括：第一高折射率材料层、第二高折射率材料层、第二金属电极材料层、第一低折射率材料层、第二低折射率材料层、第二石墨烯材料层、绝缘材料层、第一石墨烯材料层以及第三石墨烯材料层。该调制器可实现高调节效率和带宽。

基本信息

专利标题：

一种石墨烯电光调制器及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109375389A

申请号：

CN201811549302.9

公开（公告）日：

2019-02-22

申请日：

2018-12-18

授权号：

CN109375389B

授权日：

2022-04-29

发明人：

胡晓肖希张宇光陈代高李淼峰冯朋王磊余少华

申请人：

武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

代理机构：

武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

邱云雷

优先权：

CN201811549302.9

主分类号：

G02F1/03

IPC分类号：

G02F1/03 G02F1/035