一种自对准高精度调制器制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种自对准高精度铌酸锂调制器的制备方法，包括以下步骤：S1:对有基底、下包层、薄膜铌酸锂构成的晶圆通过前序工艺沉积金属层；S2:采用光刻技术将波导的金属掩膜和电极的图形转移至金属层；S3:经铌酸锂刻蚀工艺在波导两侧刻蚀沟槽形成铌酸锂波导；S4:通过半导体工艺在金属层上制备保护层；S5:对保护层图形化，电极上面的保护图形将电极包覆，而波导上面的金属掩膜裸露在外；S6:去除裸露在外的金属掩膜；S7:去除保护电极的保护图形；S8:制备上包层。本发明在图形化金属层时，同时将制备波导所需的金属掩膜和电极同时转移至金属层，实现两者之间自对准高精度效果，避免采用套刻工艺带来误差。
基本信息
专利标题 ：
一种自对准高精度调制器制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114371561A
申请号 ：
CN202111664187.1
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈朋鑫陈伟范宣聪阮子良
申请人 ：
苏州易缆微半导体技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区12幢303
代理机构 ：
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李嘉宁
优先权 ：
CN202111664187.1
主分类号 ：
G02F1/03
IPC分类号 ：
G02F1/03 G02F1/035 G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯或科尔效应的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/03
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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