用于电子束曝光的对准标记及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种用于电子束曝光的对准标记及其制备方法，制备方法包括：在衬底上覆盖光刻胶；以预定形状对所述光刻胶进行曝光并显影，以去除所述衬底上的一部分光刻胶，从而形成具有所述预定形状的图案；在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积金属的同时，使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀；以及去除保留在所述衬底上的光刻胶及其上沉积的金属，从而在所述衬底上得到具有所述预定形状的沉积金属。本申请的技术方案提高了对准标记的对准效果。
基本信息
专利标题 ：
用于电子束曝光的对准标记及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114460819A
申请号 ：
CN202210042527.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张钦彤裴天
申请人 ：
北京量子信息科学研究院
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座
代理机构 ：
北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
项荣
优先权 ：
CN202210042527.5
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 9/00
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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