具有虚拟填充的精密电阻器结构
公开
摘要
本申请涉及集成电路领域，公开了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底中的第一虚拟填充层；设置在半导体衬底表面上的第一介电层，第一介电层中设置有第二虚拟填充层；设置在第一介电层表面上的第二介电层，第二层介电层中设置有电阻体，电阻体两端设置有互连结构；设置在第二介电层表面上的第三介电层，第三介电层中设置有金属互连层，金属互连层分别与两端的互连结构连接。第一虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，第二虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，第一虚拟填充层和第二虚拟填充层相互平行且交替设置。本申请可以提高电阻器的散热和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
具有虚拟填充的精密电阻器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613562A
申请号 ：
CN202011449250.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭朝亮张泽飞
申请人 ：
上海类比半导体技术有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号A楼367室
代理机构 ：
上海一平知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴珊
优先权 ：
CN202011449250.5
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01C1/084
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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