一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法
授权
摘要
本发明公开了一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法，包括以下步骤：栅极驱动器输出的高电平电压Vgg、下桥臂SiC MOSFET的漏极外接引线端子G与母线电源的负极性端子S’之间的电压uGS’、外加驱动电阻Rg_de、栅极驱动器内部驱动电阻Rg_dr、下桥臂SiC MOSFET的栅漏极PCB布线产生的杂散电容Cdg’、SiC MOSFET漏源极电容两端的电压uDS及SiC MOSFET漏栅极电容两端的电压uDG，得SiC MOSFET的反向转移电容Cdg，该方法能够较为准确测量SiC MOSFET的反向转移电容，且测量较为简单。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC MOSFET反向转移电容测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112710940A
申请号 ：
CN202011541017.X
公开（公告）日 ：
2021-04-27
申请日 ：
2020-12-23
授权号 ：
CN112710940B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
王来利李华清杨成子于龙洋朱梦宇
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
王艾华
优先权 ：
CN202011541017.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-05-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20201223
申请日 : 20201223
2021-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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