一种LAP激光镭雕工艺

授权

摘要

本发明公开了一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，S1、在塑胶基材上激光镭雕出电路走线槽，对电路走线槽的成型深度进行监测；S2、在塑胶基材上的电路走线槽内化镀金属层，对金属层的成型厚度进行检测；S3、将测得的电路走线槽的成型深度与测得的金属层的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使金属层的厚度值与电路走线槽的深度值一致；对塑胶基材上镭雕出的电路走线槽的深度以及电路走线槽内化镀成型的金属层的厚度进行监测与对比，根据对比结果对镭雕参数进行调整，以使金属层的厚度值与电路走线槽的深度值一致，从而确保金属层化镀至塑胶基材上后，塑胶基材表面与金属层表面平齐，利于生产良率的提升。

基本信息

专利标题：

一种LAP激光镭雕工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112739024A

申请号：

CN202011549424.5

公开（公告）日：

2021-04-30

申请日：

2020-12-24

授权号：

CN112739024B

授权日：

2022-05-24

发明人：

徐现磊

申请人：

深圳市信维通信股份有限公司

申请人地址：

广东省深圳市宝安区沙井街道西环路1013号A.B栋

代理机构：

深圳市博锐专利事务所

代理人：

汤星星

优先权：

CN202011549424.5

主分类号：

H05K3/00

IPC分类号：

H05K3/00 H05K3/10 H05K3/14