一种试剂级二水合氯化铜晶体的制备方法
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摘要

本发明属于二水合氯化铜晶体的制备方法技术领域,提供了一种试剂级二水合氯化铜晶体的制备方法,该方法先对线路板酸性蚀刻废液进行预处理,然后用萃取剂萃取酸性蚀刻废液中的氯化铜,萃余液补充添加剂后调配成再生蚀刻液回用线路板蚀刻生产线,萃取剂携带的氯化铜用纯水反萃得到氯化铜溶液,氯化铜溶液通过深度净化除杂、调整pH值、蒸发、浓缩、冷却结晶、离心分离、低温干燥等工序得到试剂级二水合氯化铜晶体。利用线路板酸性蚀刻废液生产试剂级二水合氯化铜晶体,在降低试剂级二水合氯化铜晶体生产成本的同时也避免了蚀刻废液外运处置二次污染环境的风险,具有良好的生态环境与经济效益。

基本信息
专利标题 :
一种试剂级二水合氯化铜晶体的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112813489A
申请号 :
CN202011612572.7
公开(公告)日 :
2021-05-18
申请日 :
2020-12-30
授权号 :
CN112813489B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
高东瑞周国立
申请人 :
广东臻鼎环境科技有限公司
申请人地址 :
广东省惠州市东江高新区东兴片区东新大道106号东江创新大厦内16楼1602室
代理机构 :
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 :
马骥
优先权 :
CN202011612572.7
主分类号 :
C30B7/04
IPC分类号 :
C30B7/04  C30B28/04  C30B29/12  C23F1/46  C22B7/00  C22B3/40  C22B15/00  C01G3/05  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
C30B7/02
溶剂蒸发法
C30B7/04
用水溶剂的
法律状态
2022-04-29 :
授权
2021-06-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 7/04
申请日 : 20201230
2021-05-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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