高灵敏度低串扰度压阻式单轴力传感器的拓扑优化设计方法
授权
摘要
本发明公开了一种高灵敏度低串扰度压阻式单轴力传感器的拓扑优化设计方法，首次将贴片位置和角度考虑进设计变量中，即本发明中的感应贴片区域可以进行移动，这极大的提高了优化设计的灵活性，使得传感器优化设计更具有实际应用价值，此外，由于低串扰度要求在列式中所对应的约束过于严格，使用传统的拓扑优化求解框架极易导致数值不稳定，本发明提出的方法相较于现有技术而言更为稳定，可以极大的提高严苛约束下的计算效率和稳定性。本发明所提的相关方法可以稳定的得到合理且满足高灵敏度低串扰度要求的压阻式力传感器结构。
基本信息
专利标题 ：
高灵敏度低串扰度压阻式单轴力传感器的拓扑优化设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112733402A
申请号 ：
CN202011614372.5
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2020-12-30
授权号 ：
CN112733402B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
胡雪岩陈伟球鲍荣浩郭旭张维声
申请人 ：
浙江大学;大连理工大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
万尾甜
优先权 ：
CN202011614372.5
主分类号 ：
G06F30/23
IPC分类号 ：
G06F30/23 G06F111/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20201230
申请日 : 20201230
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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