一种新型共面波导到SIW的过渡结构
授权
摘要
一种新型共面波导到SIW的过渡结构，设有介质基板，介质基板的上方设有敷铜层，介质基板的下方设有地板，在敷铜层上开设有耦合缝，在耦合缝的两侧分别设有一排连接敷铜层与地板的金属化过孔。本实用新型能够满足常规平板天线的过渡结构的电性能要求，插入损耗也相对较低，并且具有良好的带宽，能够达到37%的带宽；结构简单，易于加工。
基本信息
专利标题 ：
一种新型共面波导到SIW的过渡结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020038427.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-09
授权号 ：
CN211455946U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
黎金笛宋彦张鹏陈鹏羽李毅响
申请人 ：
广东通宇通讯股份有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区东镇东二路1号
代理机构 ：
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋晨炜
优先权 ：
CN202020038427.1
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/50 H01Q1/38 H01Q1/48
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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