一种基于RRAM的非易失性锁存器及集成电路
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摘要

本实用新型公开了一种基于RRAM的非易失性锁存器,包括:电源、双互锁存模块、存储节点、备份模块和若干开关控制节点,双互锁存模块包括第一锁存单元、第一反馈单元、第二锁存单元和第二反馈单元;存储节点设置在第一锁存单元、第一反馈单元、第二锁存单元和第二反馈单元的连接处;备份模块包括若干1T1R结构,每一1T1R结构的第三接线端与对应存储节点连接,每一1T1R结构的第四接线端共接;本锁存器可以在电路不需要工作时进行断电处理,且在遇到意外断电的情况时,可以保证重新上电后能恢复到断电前的工作状态;同时,应用双互锁存模块的加固方式,提高非易失性电路的抗单粒子性能,避免电路损坏和数据传输存储错误。本实用新型还提供一种集成电路。

基本信息
专利标题 :
一种基于RRAM的非易失性锁存器及集成电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020063538.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-13
授权号 :
CN210956168U
授权日 :
2020-07-07
发明人 :
杨雪琴毕津顺李博习凯季兰龙刘明
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 :
王胜利
优先权 :
CN202020063538.8
主分类号 :
G11C11/16
IPC分类号 :
G11C11/16  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器;为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2020-07-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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