屏蔽型IGBT结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种屏蔽型IGBT结构，它包括集电极金属、P型集电极区、N型缓冲层、N型外延层、N型积累层、P型体区、第一类沟槽、第二类沟槽、第一类导电多晶硅、第二类导电多晶硅、栅氧层、N型源区、绝缘介质层与发射极金属；第一类沟槽与第二类沟槽呈间隔设置，第一类沟槽从N型源区的上表面依次穿透P型体区与N型积累层并最后进入N型外延层内，在第一类沟槽的侧面与底面设有栅氧层，栅氧层包裹所述第一类导电多晶硅；第二类沟槽从N型源区的上表面穿透P型体区与并最后进入N型积累层内，在第二类沟槽的侧面与底面设有栅氧层，栅氧层包裹第二类导电多晶硅。本实用新型器件的栅极电容极小，开关损耗较小，器件的可靠性得到了大幅提升。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽型IGBT结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020217189.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-26
授权号 ：
CN211265485U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
朱袁正周锦程李宗清
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN202020217189.0
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/423 H01L21/331
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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