真空蒸膜设备
授权
摘要
本实用新型公开一种真空蒸膜设备，包括真空室；蒸发源；第一晶振座；第一晶振；第一传感器；前反馈控制模块；基片；基片挡板；第一驱动装置；第二晶振座；第二晶振；第二传感器；后反馈控制模块；蒸发源挡板；第二驱动装置；总控制模块，用于将蒸发速率与预定蒸发速率比较得到第一比较结果并基于第一比较结果向前反馈控制模块发出控制第二驱动装置驱动蒸发源挡板沿与材料在气相时向第一晶振、基片流动的路径相交的轨迹往复移动和将该实际测量值与预定厚度值比较得到第二比较结果并基于第二比较结果向后反馈控制模块发出控制第一驱动装置驱动基片挡板的控制信号。它能监测蒸发源材料蒸发速率及沉积在基片上膜层厚度，精确控制沉积过程中膜层厚度。
基本信息
专利标题 ：
真空蒸膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020239745.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-03
授权号 ：
CN212316238U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
陈珉黎守新
申请人 ：
成都晶砂科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天华一路99号7栋3层5号
代理机构 ：
成都百川兴盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
王云春
优先权 ：
CN202020239745.4
主分类号 ：
C23C14/54
IPC分类号 ：
C23C14/54 C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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