一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在由SiO2薄膜层和Al2O3薄膜层组成的下层结构上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020467852.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN212780507U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
伍铁生王学玉张慧仙刘智慧杨祖宁杨丹曹卫平王宜颖
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张学平
优先权 ：
CN202020467852.2
主分类号 ：
G01N21/41
IPC分类号 ：
G01N21/41
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/41
折射率；影响相位的性质，例如光程长度
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
