一种低功耗低电压温度传感电路
授权
摘要
一种低功耗低电压温度传感电路，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管和第五PMOS管的栅极和源极接电源，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管漏极，第二PMOS管的源极接第一PMOS管漏极，栅极和漏极接第三PMOS管源极；第三PMOS管的源极接第二PMOS管漏极，栅极和漏极接第四PMOS管源极；第四PMOS管的源极接第三PMOS管漏极，栅极和漏极接第六PMOS管的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管的源极和栅极，正端与第五PMOS管的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管的漏极接地。本实用新型芯片面积小，功耗低，可在较低的电源电压下工作。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗低电压温度传感电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020569493.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-16
授权号 ：
CN211855611U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
张立强徐建民狄建兴李国峰胡锦龙张勇崔立志郝建军郑玉南李永斌杨铁生宋学忠齐敬伟周志勇
申请人 ：
唐山国芯晶源电子有限公司
申请人地址 ：
河北省唐山市玉田县鑫兴电子工业园区内
代理机构 ：
石家庄冀科专利商标事务所有限公司
代理人 ：
汤志强
优先权 ：
CN202020569493.1
主分类号 ：
G01K7/01
IPC分类号 ：
G01K7/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01K
温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件
G01K7/00
以利用直接对热敏感的电或磁性元件为基础的温度测量
G01K7/01
利用具有PN结的半导体元件
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
