一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构
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摘要
一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，顶层硅层，顶层氧化层，内部电学连接，封堵结构，顶层金属件，空腔结构，谐振器结构；衬底硅作为谐振器的支撑层，底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜，顶层氧化层为在顶层硅层形成的氧化层，谐振器结构设置在中间硅层上形成谐振器的主体结构部分。本实用新型的优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；采用SOI晶圆作为基底，利用光刻、刻蚀工艺，在顶层硅薄膜和中间硅层上刻蚀开口和谐振器图形，是密封单晶硅谐振器的新结构，性能稳定，新工艺和新方法。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020651016.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212517471U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
黄向向杨敏道格拉斯·雷·斯巴克斯关健
申请人 ：
罕王微电子（辽宁）有限公司
申请人地址 ：
辽宁省抚顺市经济开发区北厚西出口21#楼（一层）
代理机构 ：
沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202020651016.X
主分类号 ：
H01P7/06
IPC分类号 ：
H01P7/06
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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