一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法
专利权的终止
摘要
一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法，采用常规的低成本低压化学汽相沉积(LPCVD)方法来制备超薄Si3N4膜，得到性能优良的等效氧化层厚度(EOT)为1.9nm的超薄Si3N4/SiO2 stack栅介质。并在此基础上详细研究了Si3N4/SiO2 (N/O)stack栅介质的特性，成功应用于栅长为0.13μm高性能N/O stack栅介质CMOS器件研制。为深亚微米CMOS器件所必需的高性能栅介质制备提供了一种方便可行的方法。
基本信息
专利标题 ：
一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1937184A
申请号 ：
CN200510086488.5
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林刚徐秋霞
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周长兴
优先权 ：
CN200510086488.5
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L21/314
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2019-09-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20080702
终止日期 : 20180922
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20080702
终止日期 : 20180922
2013-05-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101588804286
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100864885
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419
号牌文件序号 : 101588804286
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100864885
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419
2008-07-02 ：
授权
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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