一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法
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摘要
本发明涉及一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法，二氧化硅层采用低压工艺生长，生长前对所用石英晶舟，碳化硅桨用酸液进行清洗；将硅衬底片装在晶舟上，然后将晶舟放置在碳化硅桨上；从炉管当前的750℃升到800℃，通入氧气；通入气态三氯乙烯作为生长辅助气体，然后进行湿氧化；通入氧气，通入三氯乙烯气体；将温度从800℃降至750℃，保持通入氮气待硅衬底片温度降低至30~50℃后从晶舟上取出，至此整套工艺完成，硅衬底上形成了二氧化硅层，之后测量监控片二氧化硅层的厚度。降低了炉管内部集聚的颗粒等杂质的含量；降低层错缺陷产生几率，显著提高了二氧化硅层质量。
基本信息
专利标题 ：
一种VDMOS功率器件用二氧化硅层的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111785612A
申请号 ：
CN202010848006.X
公开（公告）日 ：
2020-10-16
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
CN111785612B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
董彬唐发俊李明达周幸薛兵
申请人 ：
中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请人地址 ：
天津市津南区八里台镇丰泽四大道7号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
杨舒文
优先权 ：
CN202010848006.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/28 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-11-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200821
申请日 : 20200821
2020-10-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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