一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置
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摘要
本实用新型一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置，解决现有半导体折射率变化测量方法，无法满足对脉冲入射及脉冲响应特性检测需求的问题。该装置包括高功率脉冲激光器、第一分束镜、脉冲X射线激励单元、探针光调控单元、第二分束镜及信号读出单元；第一分束镜位于脉冲激光器的出射方向，将脉冲激光器产生激光光束分为A光束和B光束；脉冲X射线激励单元位于A光束出射方向，对脉冲激光产生X射线，探针光调控单元位于B光束的出射方向，产生探针光，探针光和X射线同时到达半导体超快探测芯表面；X射线对半导体超快探测芯片折射率进行调制，进而改变探针光的光谱强度；信号读出单元探测探针光光谱强度变化，获得芯片对X射线的响应过程。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体材料瞬态折射率超快检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020651280.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN212364068U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
尹飞汪韬闫欣高贵龙何凯田进寿
申请人 ：
中国科学院西安光学精密机械研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
董娜
优先权 ：
CN202020651280.3
主分类号 ：
G01N21/41
IPC分类号 ：
G01N21/41 G01N21/25 G01N21/17
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/41
折射率；影响相位的性质，例如光程长度
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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