高选择性阵列MOS传感器

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种高选择性阵列MOS传感器，包括：基底；多个敏感单元，形成于所述基底上，所述多个敏感单元形成阵列结构；加热器，形成于所述基底上，所述敏感单元外围；电极层，形成于所述基底上，所述电极层与敏感单元和加热器电连接；其中，所述电极层包括多个引出端，用于监测不同敏感单元组合的端点电位。本实用新型通过采用多个阵列结构的敏感单元及电极层的多个引出端以形成不同敏感单元组合的连接电路，可以实现不同气体高灵敏响应。

基本信息

专利标题：

高选择性阵列MOS传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020694718.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-29

授权号：

CN212540216U

授权日：

2021-02-12

发明人：

孙建海陈婷婷赵佩月

申请人：

中国科学院空天信息创新研究院

申请人地址：

北京市海淀区北四环西路19号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

吴梦圆

优先权：

CN202020694718.6

主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

G01N27/12

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01N

借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料

G01N27/00

用电、电化学或磁的方法测试或分析材料

G01N27/02

通过测试阻抗

G01N27/04

通过测试电阻

G01N27/12

与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻

法律状态

2022-05-31 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : G01N 27/12
登记生效日 : 20220518
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院空天信息创新研究院
变更后权利人 : 中国科学院空天信息创新研究院
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100190 北京市海淀区北四环西路19号
变更后权利人 : 100190 北京市海淀区北四环西路19号
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 山东鲁南瑞虹化工仪器有限公司

2021-02-12 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载