一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型涉及一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，包括若干个T拓扑分支走线，相邻两个所述T拓扑分支走线通过颗粒分支走线连接，其特征在于，所述T拓扑分支走线包括表层分支走线和底层分支走线，所述表层分支走线与所述底层分支走线通过T拓扑过孔对接，所述T拓扑过孔均位于DDR颗粒的优化区域内,且所述T拓扑分支走线的阻抗大于所述颗粒分支走线的阻抗。本实用新型通过优化T拓扑过孔和提高T拓扑分支走线的阻抗，实现了在不增加其他器件前提下，优化了信号质量；进一步的，T拓扑分支走线线宽变细，提高了PCB板的空间利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020929111.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN212163817U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
肖勇超吴均
申请人 ：
深圳市一博科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
代理机构 ：
深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
田志远
优先权 ：
CN202020929111.1
主分类号 ：
H05K1/02
IPC分类号 ：
H05K1/02
法律状态
2021-01-15 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H05K 1/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更后 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区粤海街道深大社区深南大道9819号地铁金融科技大厦11F
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更后 : 深圳市一博科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518000 广东省深圳市南山区科技南十二路28号康佳研发大厦12层12H-12I
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区粤海街道深大社区深南大道9819号地铁金融科技大厦11F
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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