硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统

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摘要

本实用新型公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统，该硅光电倍增器包括：雪崩光电二极管阵列，其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管，并且第二雪崩光电二极管设置在第一雪崩光电二极管的外围，以将第一雪崩光电二极管与第一电极间隔开；淬灭单元，其用于在雪崩光电二极管阵列发生雪崩击穿效应时对雪崩光电二极管阵列进行淬灭，其中，第一雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第二电极连接；第二雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第三电极连接，当第二雪崩光电二极管处于工作状态时，在其内形成的耗尽区在深度方向上至少覆盖外延层的一部分。通过利用本实用新型提供的技术方案，可以实现提高对波长较长的光子的探测效率。

基本信息

专利标题：

硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020936582.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-28

授权号：

CN211980623U

授权日：

2020-11-20

发明人：

张玺徐青王麟

申请人：

湖北京邦科技有限公司

申请人地址：

湖北省鄂州市梧桐湖新区东湖高新科技创意城A03栋

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020936582.5

主分类号：

H01L31/02

IPC分类号：

H01L31/02 H01L27/146