硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统

授权

摘要

本实用新型公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统，该硅光电倍增器包括一个像素单元或并联连接的多个像素单元，每个像素单元均包括雪崩光电二极管以及淬灭晶体管，其中，多个像素单元中的雪崩光电二极管的阳极或阴极并联连接以构成硅光电倍增器的阳极或阴极，雪崩光电二极管的阴极或阳极分别与对应的淬灭晶体管的源极或漏极连接；多个像素单元中的淬灭晶体管的漏极或源极并联连接以构成硅光电倍增器的阴极或阳极，淬灭晶体管的栅极并联连接以构成硅光电倍增器的栅极。通过利用本申请提供的技术方案，可以实现高速时间门控、雪崩光电二极管输出状态的调节以及提高像元响应一致性。

基本信息

专利标题：

硅光电倍增器、光电探测装置和成像系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020944174.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-28

授权号：

CN211980624U

授权日：

2020-11-20

发明人：

张玺徐青王麟

申请人：

湖北京邦科技有限公司

申请人地址：

湖北省鄂州市梧桐湖新区东湖高新科技创意城A03栋

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020944174.4

主分类号：

H01L31/02

IPC分类号：

H01L31/02 H01L31/101 H01L27/146