一种消散斑纳米光学MEMS芯片

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摘要

本实用新型公开了一种消散斑纳米光学MEMS芯片，涉及光学技术领域，该MEMS芯片包括基底、金属电极、转轴以及纳米反射结构，利用一种特殊结构的纳米反射结构代替常规的反射镜面，纳米反射结构的反射面包括呈随机分布的若干种不同相位的纳米单元，纳米反射结构可以降低激光的空间相干性，动态的MEMS芯片降低激光时间相干性，该MEMS芯片可以有效地降低激光相干性从而更好地抑制散斑。该MEMS芯片无外加机械可动结构、体积紧凑、便于系统高度集成、可靠性好，控制简单、无需机械可动结构的驱动信号，无外加光学结构、光效利用率高，器件稳定性好、不受外界温度影响。

基本信息

专利标题：

一种消散斑纳米光学MEMS芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021115740.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-16

授权号：

CN212712732U

授权日：

2021-03-16

发明人：

程进徐乃涛孙其梁谭叶青

申请人：

无锡微视传感科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市锡山二泉东路集智广场14层

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

过顾佳

优先权：

CN202021115740.7

主分类号：

B81B7/02

IPC分类号：

B81B7/02 G02B26/08