转移装置以及转移系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种转移装置以及转移系统。该转移装置包括：基板，具有凹槽；热膨胀部，位于凹槽内，热膨胀部的与凹槽的底部接触的表面为第一表面，热膨胀部的与第一表面相对的表面为第二表面，在热膨胀部被加热至预定温度时，热膨胀部膨胀，且膨胀后的膨胀部的第二表面高于凹槽两侧的基板的表面。该转移装置无需利用聚二甲基硅氧烷等昂贵材料形成凸块，因此，该转移装置的成本较低，解决了现有技术中的转移装置需要采用聚二甲基硅氧烷形成而导致的成本较高的问题。
基本信息
专利标题 ：
转移装置以及转移系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021373472.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212182295U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
李欣曈洪温振
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202021373472.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/677 H01L27/15
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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