一种用于MPCVD系统的导流式样品托及MPCVD系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于MPCVD系统的导流式样品托及MPCVD系统，包括：样品托本体，用于水平放置于反应腔内，样品托本体的上方中心处设置有用于导入气流的气体导入口；样品托本体的下部为圆柱体状，其上部包括同轴设置的挡流板和导流台，挡流板位于外侧且为圆环体。导流台为一上小下大的圆台体；导流台的上表面为水平状，用于放置金刚石样品；导流台的下端直径与挡流板内环直径相同，导流台的高度满足以下条件：金刚石样品放置在导流台上时，金刚石样品的上表面不超过挡流板的上表面。在挡流板底部环绕一周间隔、且均匀贯通开设有多个径向导流孔。该样品托为金刚石生长提供一个稳定的气流环境，减少金刚石边缘多晶等缺陷的形成。
基本信息
专利标题 ：
一种用于MPCVD系统的导流式样品托及MPCVD系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021415247.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN212713747U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
王宏兴王艳丰
申请人 ：
西安德盟特半导体科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区唐延南路十一号1幢1单元11403室
代理机构 ：
西安维赛恩专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘艳霞
优先权 ：
CN202021415247.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/455 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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