硅太阳能电池的断面分层缺陷探伤检测装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种缺陷探伤检测装置，尤其是一种硅太阳能电池的断面分层缺陷探伤检测装置，属于硅太阳能电池缺陷检测的技术领域。其通过图像采集器采集检测光源发射的每个波段光线的光致发光图像，且将所采集的光致发光图像传输至检测操作平台，检测操作平台将所需光致发光图像处理后得到硅太阳能电池不同断面的检测图像，以根据所得到的断面检测图像能对所述硅太阳能电池的断面缺陷检测，能有效实现对硅太阳能电池的断面探测，对于存在缺陷的硅太阳能电池，能明确所述缺陷所在的断面位置，提高硅太阳能电池生产的效率，降低生产成本，安全可靠。
基本信息
专利标题 ：
硅太阳能电池的断面分层缺陷探伤检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021683537.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212674757U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
席曦邵剑波刘桂林
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷红梅
优先权 ：
CN202021683537.X
主分类号 ：
G01N21/01
IPC分类号 ：
G01N21/01 G01N21/892
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/01
便于进行光学测试的装置或仪器
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
