一种增强谐振腔之间耦合量的结构

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摘要

本实用新型提供一种增强谐振腔之间耦合量的结构，包括框架本体，框架本体内设有谐振腔，谐振腔内设有谐振器和耦合筋，谐振器包括第一谐振器和第二谐振器；第一谐振器和第二谐振器并排设置于谐振腔内；耦合筋设置于第一谐振器和第二谐振器之间，并且耦合筋平行于第一谐振器和第二谐振器之间的连接线；耦合筋位于靠近第一谐振器一端设有第一弧形筋，耦合筋位于靠近第二谐振器一端设有第二弧形筋；第一弧形筋环绕于第一谐振器的侧面，第二弧形筋环绕于第二谐振器的侧面；本实用新型提供一种增强谐振腔之间耦合量的结构，可以在同样的条件下满足更优的耦合性能，一体化成型，降低成本，适用于宽带滤波器及利于产品的小型化。

基本信息

专利标题：

一种增强谐振腔之间耦合量的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021722712.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-18

授权号：

CN213212352U

授权日：

2021-05-14

发明人：

董高超何胡生田守君张中玉胡轶胡华乔

申请人：

宁波华瓷通信技术股份有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市鄞州区金源路818号8号楼1-2层

代理机构：

北京金智普华知识产权代理有限公司

代理人：

徐会娟

优先权：

CN202021722712.1

主分类号：

H01P7/06

IPC分类号：

H01P7/06