一种纳米开关器件
授权
摘要
本申请提供一种纳米开关器件，涉及半导体高电子迁移率晶体管技术领域。纳米开关器件包括依次层叠布置的衬底、缓冲层和沟道层，沟道层表面具有V型槽，沟道层表面且位于V型槽两侧分别设置有势垒层，势垒层表面分别设置有源极和漏级，V型槽表面设置有钝化层，钝化层表面设置有栅极。沟道层的材质为GaN基材料，在外延生长过程中其表面会形成能够充当人工刻蚀凹槽的V型槽。在栅极不加电压时，V型槽能够阻断势垒层和沟道层形成的二维电子气，阻断源极和漏级之间形成电流，使器件在栅极不加电压下处于常关状态；当给栅极加电压时，V型槽下面的沟道层会聚集电荷，使源极和漏级之间的二维电子气导通。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米开关器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021728201.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212907751U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
左朋汪洋贾晓云杨浩军王晓晖丁国建张宇超冯琦王海玲贾海强陈弘
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吕露
优先权 ：
CN202021728201.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10 H01L21/335
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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