一种晶圆加热装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆加热装置，包括底座，所述底座的上端固定连接有箱体，所述箱体的外壁固定连接有保温层，所述保温层的上端固定连接有电机，所述电机的一端延伸设置有转轴，所述转轴贯穿箱体和保温层固定连接有支撑杆，所述支撑杆的底端固定连接有液压缸，所述液压缸的一端设置有液压杆，所述液压杆的一端固定连接有放置盘，所述放置盘的内部固定连接有加热管，所述加热管的内侧设置有放置腔，所述箱体的内部底端固定连接有支撑架，所述支撑架的上端固定连接有加热板，所述加热板的内部设置有散热孔。本实用新型中，加热管对晶圆的四周加热，电机带动放置盘旋转，使晶圆受热均匀，液压缸带动放置盘上下移动，使晶圆处于合适的加热位置。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021818370.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN212967615U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
姬煜赵通
申请人 ：
江苏无恙半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河路北侧、华山路西侧
代理机构 ：
深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
涂柳晓
优先权 ：
CN202021818370.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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