一种高调制速率的混合集成半导体激光器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高调制速率的混合集成半导体激光器，该激光器包括InP基增益芯片、硅基模斑转换器、相移器和MZ调制器；其中，MZ调制器设置在该激光器的谐振腔内；该激光器还包括起反射镜作用的腔镜结构；InP基增益芯片依次通过硅基模斑转换器、相移器与MZ调制器进行连接，MZ调制器与腔镜结构连接，MZ调制器还与SOI波导连接，该SOI波导作为该激光器的输出端；激光在该激光器的谐振腔内往返谐振，两次经过MZ调制器进行腔内损耗调制。本实用新型将MZ调制器置于激光器谐振腔内，采用腔内损耗调制，实现无啁啾高速率调制，且激光器谐振腔结构和有效腔长不会在进行调制时发生改变，波长较稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种高调制速率的混合集成半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021821971.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN212725953U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
朱尧魏思航王任凡
申请人 ：
武汉敏芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地(一期)1栋3层02室03号
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
许美红
优先权 ：
CN202021821971.X
主分类号 ：
H01S5/06
IPC分类号 ：
H01S5/06 H01S5/10 H01S5/026 H01S5/062
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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