多晶硅料的加料系统
授权
摘要
本实用新型公开了多晶硅料的加料系统，包括石英坩埚、下料管、亮度检测设备、第一控制器和第二控制器，石英坩埚侧壁设有第一加热器，石英坩埚底部设有旋转机构，旋转结构下方设有第二加热器，石英坩埚内盛有硅熔体；下料管的出料口设在石英坩埚上方；亮度检测设备设在石英坩埚上方，亮度检测设备朝向石英坩埚内的硅熔体与下料管供给粒状多晶硅的界面处；第一控制器与亮度检测设备和下料管相连，第一控制器基于亮度检测设备的反馈调整下料管内的下料速率；第二控制器与下料管和第二加热器相连，第二控制器基于下料管中的下料速率调整第二加热器的功率。采用该系统可以降低石英坩埚内多晶硅岛翻覆的可能，利于晶体的顺利成长和晶体空孔缺陷的消除。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅料的加料系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021967173.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
CN213951410U
授权日 ：
2021-08-13
发明人 ：
黄末陈翼刘奇
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
肖阳
优先权 ：
CN202021967173.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-08-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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