一种新型梁膜岛结构高压传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型梁膜岛结构高压传感器，包括第一硅质基底、第二硅质基底、金属导线和焊盘，所述第一硅质基底的正面设有刻蚀形成的岛结构，所述第一硅质基底的背面设有腐蚀形成的圆形凹坑，所述第一硅质基底与正面的岛形成岛膜结构；本实用新型采用两层膜结构，第一层膜片为第一硅质基底与正面的岛形成岛膜结构，第二层膜片为第一梁、第二梁和第二硅质基底四周的梁与第二硅质基底背面的岛共同形成梁膜结构，其作用主要是承接外界压力冲击后进行缓冲，并均匀的将剩余压力冲击传递给第二层膜片，使第二层膜片所受压力冲击降低，能够使应力集中处的应力小于65MPa。
基本信息
专利标题 ：
一种新型梁膜岛结构高压传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022075634.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
CN212693124U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
毛彦博田边刘金涛李富乐付信忠汪升森孙立勇刘佳林郭晨晨张赟
申请人 ：
明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司
申请人地址 ：
山东省烟台市经济技术开发区珠江路28号科技大厦1019-2室
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
潘剑敏
优先权 ：
CN202022075634.7
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 G01L9/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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