一种磁控溅射区域降温装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种磁控溅射区域降温装置，该磁控溅射区域降温装置安装在磁控阴极的正对面、基片与磁控阴极之间，包括水冷板，所述水冷板底部通过支撑座固定在真空镀膜箱体底部，水冷板上部通过固定支架固定在镀膜箱体上部，所述水冷板朝向基片一侧的面板上焊接有呈蛇形分布的冷却水管，所述冷却水管的进水端及出水端分别通过密封装置与真空镀膜箱体底部密封连接。本实用新型的磁控溅射区域降温装置安装在磁控阴极的正对面、基片与磁控阴极之间，通过水冷板及冷却水管的设置，可通过水冷来降低周边温度，保证了基片表面的正常工艺温度。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射区域降温装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022138294.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN214218841U
授权日 ：
2021-09-17
发明人 ：
李国强舒逸刘光斗李赞
申请人 ：
湖南玉丰真空科学技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省湘潭市湘潭九华示范区大众东路2号
代理机构 ：
湖南格创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN202022138294.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-09-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
