一种交换偏置场可调控的存储器结构
授权
摘要
本实用新型涉及磁存储技术领域，尤其是一种交换偏置场可调控的存储器结构，经柔性衬底层、第一隧道结层、第二隧道结层以及在第一隧道结层与第二隧道结层之间设MOF材料层，使得具有交换偏置场的结构单元在柔性衬底层，结合铁磁层，改善对应力敏感性，保障了温度、电场致使应力变化，而实现交换偏置场大小调整，且结合具有[(CH3CH2)2NH2][FeIIIFeII(HCOO)6]结构的MOF材料层，增强结构内的交换偏置场的形成，同时能够实现结构内调节交换偏置场。
基本信息
专利标题 ：
一种交换偏置场可调控的存储器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022285692.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN212934662U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
李洪伟
申请人 ：
遵义师范学院
申请人地址 ：
贵州省遵义市新蒲新区平安大道中段
代理机构 ：
北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
余柯薇
优先权 ：
CN202022285692.2
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L43/02
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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