一种芯片制造真空覆膜装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种芯片制造真空覆膜装置，包括工作台、压膜框架和抽气腔，所述工作台内部开设有抽气腔，所述抽气腔底部通过螺纹槽连接有三通阀，所述三通阀底部一端通过螺纹槽连接有电磁阀，所述工作台底部一端通过安装架安装有抽气泵，所述工作台顶部开设有预留槽，所述预留槽底部开设有芯片槽，所述芯片槽两侧通过安装槽安装有网板。本实用新型结构简单，操作方便，可以同时对多个芯片进行覆膜，适合被广泛推广和使用。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片制造真空覆膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022431057.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN212991052U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
曾少亚
申请人 ：
曾少亚
申请人地址 ：
广东省广州市天河区体育东路122号羊城国际商贸中心之一2406
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022431057.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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