一种铜电极结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种铜电极结构，结构包括带有TSV深孔的基底，所述TSV深孔中具有铜填充柱，所述铜填充柱和基底的接触界面具有氧化物隔离层，所述基底的第一侧通过胶层键合在基板上，所述铜填充柱凸出于所述基底，所述基底第二侧覆盖有PI绝缘胶层，所述PI绝缘胶层上覆盖有PI光刻胶层，所述PI光刻胶层具有显露所述铜填充柱的显影区域，所述显影区域形成有镀铜电极，所述镀铜电极上形成有金属凸块。该方案获得PI绝缘胶层，有效的避免应力破裂并形成良好的侧壁覆盖形态，工艺过程显著降低成本并提高良率。
基本信息
专利标题 ：
一种铜电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022472446.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN212907716U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
潘远杰周祖源薛兴涛
申请人 ：
中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202022472446.8
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2021-07-06 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/48
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中芯长电半导体（江阴）有限公司
变更后 : 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
变更后 : 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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