一种碳化硅粉料氮化处理装置

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摘要

本实用新型提供了一种碳化硅粉料氮化处理装置，包括炉体和坩埚，所述炉体的上端密封设置有上盖，下端密封设置有下盖，所述下盖底部开设有多个氮气进气孔，所述氮气进气孔与所述炉体内部连通，多个氮气进气孔的总面积为下盖底部面积的0.01％～2％；所述坩埚放置在炉体内部，所述坩埚用于放置待氮化处理的碳化硅粉料，所述坩埚的孔径为1～100μm。在坩埚内放置碳化硅粉料，通过下盖底部的氮气进气孔通入氮气，使碳化硅粉料处于富氮的气氛中，氮气穿过坩埚，渗透到坩埚内部，较多的氮气吸附在碳化硅粉料中，得到富氮的碳化硅粉料。多个氮气进气孔的总面积占比合适，既可保证氮气吸附顺畅又保证下盖的强度。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅粉料氮化处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022484400.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-30

授权号：

CN213854445U

授权日：

2021-08-03

发明人：

张九阳方帅高宇晗靳婉琪李霞蒋文广赵树春王宗玉高超

申请人：

山东天岳先进科技股份有限公司

申请人地址：

山东省济南市槐荫区天岳南路99号

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘德顺

优先权：

CN202022484400.8

主分类号：

B01J8/02

IPC分类号：

B01J8/02 C01B32/956