具有温度不均匀性控制的热处理系统
授权
摘要

本公开提供了一种热处理系统。所述热处理系统可以包括处理室和设置在所述处理室之内的工件。所述热处理系统可以包括配置为向所述工件发射光的热源。所述热处理系统还可以包括设置在所述工件和所述热源之间的可调谐反射阵列。所述可调谐反射阵列可以包括多个像素。所述多个像素的每个像素可以包括可配置为半透明状态或不透明状态的电致变色材料。当像素的所述电致变色材料被配置为半透明状态时,光至少部分地通过所述像素。相反,当所述像素的所述电致变色材料被配置为所述不透明状态时,减少光通过所述像素的透射。

基本信息
专利标题 :
具有温度不均匀性控制的热处理系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112272865A
申请号 :
CN202080003057.0
公开(公告)日 :
2021-01-26
申请日 :
2020-03-09
授权号 :
CN112272865B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
杨晓晅陈贞安
申请人 :
玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京市铸成律师事务所
代理人 :
王艳波
优先权 :
CN202080003057.0
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  G02F1/15  G01J5/00  G01K13/00  H01L37/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 :
授权
2021-03-26 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 21/67
变更事项 : 申请人
变更前 : 玛特森技术公司
变更后 : 玛特森技术公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
变更事项 : 申请人
变更前 : 北京屹唐半导体科技有限公司
变更后 : 北京屹唐半导体科技股份有限公司
2021-02-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200309
2021-01-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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