相控阵的相位校准方法、装置、存储介质及系统
公开
摘要
提供了一种相控阵的相位校准方法、装置、计算机存储介质及相控阵系统，其中，该相位校准方法包括：在所包含的至少一路调相单元中，获取当前调相单元对应的至少三个第一电路值，基于各第一电路值获取远场辐射在期望角度处的辐射强度(S101)；确定各辐射强度对应的一阶差分值和二阶差分值(S102)；根据该一阶差分值以及二阶差分值对当前调相单元进行相位校准，并获取下一路调相单元，将下一路调相单元确定为当前调相单元并执行获取当前调相单元对应的至少三个第一电路值的步骤(S103)；当不存在下一个调相单元时，确定相控阵的相位校准完成(S104)。采用该方法，可以减小相位校准过程中的计算量，提高相位校准的效率。
基本信息
专利标题 ：
相控阵的相位校准方法、装置、存储介质及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391200A
申请号 ：
CN202080004330.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
牛犇朱琳汪敬任亚林
申请人 ：
深圳市速腾聚创科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区留仙大道3370号南山智园崇文园区3栋10-11层
代理机构 ：
北京恒博知识产权代理有限公司
代理人 ：
范胜祥
优先权 ：
CN202080004330.1
主分类号 ：
H01Q3/34
IPC分类号 ：
H01Q3/34 G01S7/481 G02F1/01
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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